Wafer in carburo di silicio semiisolato premium 4H-HPSI(3x3mm 6PC)

- Wafer in carburo di silicio 4H-HPSI, specificamente progettato for applicazioni elettroniche avanzate e dispositivi di potenza.
- Presenta uno spessore preciso del substrato di 0,5 mm, garantendo affidabilità e prestazioni ottimali in vari usi dei semiconduttori.
- <0,5 nm C, che fornisce un'uniformità superiore for una migliore efficienza del dispositivo.
- Resistività elettrica di 1E5 Ω·CM, che rende questo wafer ideale for applicazioni impegnative ad alta tensione e alta frequenza.
- Opzioni personalizzabili disponibili for soddisfare i requisiti specifici del progetto: noi for soluzioni su misura for soddisfare le vostre esigenze.